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截胡蘋果高通！曝三星Exynos 2600原型五月量產(chǎn)：全球首款2nm芯片

  • 3月13日消息，三星未能按時(shí)發(fā)布Exynos 2500，Galaxy S25系列被迫全部搭載高通驍龍8 Elite芯片。據(jù)媒體報(bào)道，三星已將工作重心轉(zhuǎn)向下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600，這顆芯片首發(fā)三星2nm工藝制程，計(jì)劃在5月份進(jìn)入原型量產(chǎn)階段，Galaxy S26系列將會(huì)首發(fā)搭載，這是全球首款2nm手機(jī)芯片。據(jù)爆料，Exynos 2600基于三星SF2工藝制造，這是三星第一代2nm制程，較第二代3GAP 3nm制程，SF2在相同計(jì)算頻率和復(fù)雜度情況下可降低25%功耗，相同功耗和復(fù)雜度情況下可提高1
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全球首款2nm芯片！曝三星Exynos 2600進(jìn)展順利

  • 2月8日消息，剛剛上市不久的三星Galaxy S25系列在全球范圍內(nèi)使用高通驍龍8 Elite芯片，因?yàn)槿亲约旱腅xynos 2500 SoC存在良率問(wèn)題。據(jù)媒體報(bào)道，三星電子為下一代旗艦平臺(tái)Exynos 2600投入了大量資源，以確保其按時(shí)量產(chǎn)。報(bào)道指出，Exynos 2600使用三星2nm工藝制程，試生產(chǎn)良率約為30%左右，高于內(nèi)部預(yù)期，該公司計(jì)劃在下半年進(jìn)一步穩(wěn)定Exynos 2600的量產(chǎn)工藝，Q4開(kāi)始量產(chǎn)，明年1月登場(chǎng)的Galaxy S26系列將首發(fā)搭載，如果計(jì)劃順利實(shí)施的話，Exynos 2
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三星回應(yīng)：“Exynos 2600 芯片被取消”是毫無(wú)根據(jù)的謠言

  • 11 月 27 日消息，三星發(fā)言人昨日（11 月 26 日）通過(guò)科技媒體?Android?Headline 發(fā)布聲明：“所謂的 Exynos 2600 芯片取消量產(chǎn)傳聞并不屬實(shí)，是毫無(wú)根據(jù)的謠言”。IT之家曾于 11 月 25 日?qǐng)?bào)道，消息源 @Jukanlosreve 在 X 平臺(tái)曝料后，包括 Gizmochina 在內(nèi)的多家主流媒體也跟進(jìn)報(bào)道，消息稱從韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)渠道獲悉，三星正減少 2025 年的訂單，因此推測(cè)三星將徹底取消量產(chǎn) Exynos 2600 芯片計(jì)劃。此前消息稱三
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三星 Exynos 2600芯片前景堪憂：良率挑戰(zhàn)嚴(yán)峻，有被取消量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)

  • 11 月 25 日消息，消息源 @Jukanlosreve 于 11 月 22 日在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，曝料稱從韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)渠道獲悉，三星正減少 2025 年的訂單，因此推測(cè)三星將徹底取消量產(chǎn) Exynos 2600 芯片計(jì)劃。此前援引 DigiTimes 報(bào)道，稱 3nm 工藝上遇到的困境，并沒(méi)有擊垮三星，反而讓三星“越挫越勇”，正積極布局 2nm 芯片，力圖在 2026 年實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)反彈。消息稱三星正積極爭(zhēng)取來(lái)自高通和英偉達(dá)的大規(guī)模訂單，目標(biāo)是 2026 年初量產(chǎn)。而在此之前，三星計(jì)劃在 2025
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2600-PCT-x/4200-PCT-x參數(shù)曲線跟蹤儀配置(二)

  • 吉時(shí)利參數(shù)曲線跟蹤儀配置是完整的特性分析工具，包括功率器件分析所需的主要要素。測(cè)量通道包括吉時(shí)利數(shù)字源表reg;源測(cè)量單元(SMU)和或
  • 關(guān)鍵字： 2600-PCT-x4200-PCT-x參數(shù)曲線跟蹤儀配  

2600-PCT-x/4200-PCT-x參數(shù)曲線跟蹤儀配置(三)

  • 1用于提取參數(shù)的測(cè)試方法。僅列出典型MOSFET，其他器件使用的方法類似。22657A型高功率系統(tǒng)數(shù)字源表儀器。32636A型數(shù)字源表或4210
  • 關(guān)鍵字： 2600-PCT-x4200-PCT-x參數(shù)曲線跟蹤儀配  

用2600系列數(shù)字源表進(jìn)行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試

  • CMOS集成電路(CMOS IC)和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測(cè)量靜態(tài)(或“待機(jī)”)電源電流用于驗(yàn)證生產(chǎn)測(cè)試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測(cè)量過(guò)程被稱為IDDQ測(cè)試。此測(cè)試要求在IC處于靜態(tài)條件下測(cè)
  • 關(guān)鍵字： 2600    數(shù)字源表    IDDQ  

使用基于TSP的3700系列開(kāi)關(guān)/萬(wàn)用表和2600系列源表優(yōu)化開(kāi)關(guān)測(cè)量

  • 吉時(shí)利儀器于2005年發(fā)布了配備板載測(cè)試腳本處理器(TSPTM)的測(cè)試和測(cè)量?jī)x器——首款2600系列源表。TSP基于消息的編程很像SCPI，還具有通過(guò)用戶定義的測(cè)試腳本實(shí)現(xiàn)測(cè)試序列/流的控制、決策和儀器自我管理等
  • 關(guān)鍵字： TSP    3700    萬(wàn)用表    2600    開(kāi)關(guān)測(cè)量  

2600-PCT-x/4200-PCT-x參數(shù)曲線跟蹤儀配置

  • 可配置功率電平 :ndash; From 200V to 3kVndash; From 1A to 100Abull; 動(dòng)態(tài)范 圍寬:ndash; From mu;V to 3kVndash; From fA to 100Abull; 電容-電壓方法:ndash; plusmn;400V多 頻C-Vndash; 200V斜 坡速率
  • 關(guān)鍵字： 2600    PCT    4200    參數(shù)曲線    跟蹤儀  
共9條 1/1 1
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